乾照光电申请LED芯片及其制备方法专利，可利用透明导电层提高器件的横向电流扩展能力_电子应用

乾照光电申请LED芯片及其制备方法专利，可利用透明导电层提高器件的横向电流扩展能力

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2026-03-28 00:43:59

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国家知识产权局信息显示，扬州乾照光电有限公司申请一项名为“一种LED芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121751833A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，该LED芯片包括衬底和位于衬底一侧层叠的发光功能层、窗口层和透明导电层，窗口层包括第一子层和位于第一子层背离衬底一侧的第二子层，即第二子层为窗口层中与透明导电层接触的表层，第一子层为GaP层，第二子层为掺杂有Be原子或者Zn原子的GaP层，如此，可降低第二子层与透明导电层接触处的势垒高度，减小第二子层与透明导电层的接触电阻，使得第二子层与透明导电层形成欧姆接触，打破了GaP窗口层只能与AuBe或AuZn合金材料形成欧姆接触的局限性，进而可利用透明导电层提高器件的横向电流扩展能力，提升器件的电学性能和光学性能。

天眼查资料显示，扬州乾照光电有限公司，成立于2009年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本58200万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州乾照光电有限公司参与招投标项目15次，专利信息333条，此外企业还拥有行政许可112个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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