荣芯半导体申请半导体器件及其制造方法专利，提升器件性能
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2026-03-30 11:14:41
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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121751719A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制造方法,制造方法包括：提供衬底，衬底中形成有浅沟槽隔离结构；在衬底上形成栅氧材料层，其覆盖衬底的表面及浅沟槽隔离结构的表面；在栅氧材料层上形成图案化的掩膜层，其覆盖的栅氧材料层作为第一栅氧层，刻蚀露出的栅氧材料层形成第二栅氧层，第一栅氧层与第二栅氧层连接；采用沉积工艺形成覆盖第二栅氧层和掩膜层的介质层；回刻蚀介质层，以去除掩膜层和部分第二栅氧层上的介质层而保留第一栅氧层和第二栅氧层交界处的部分介质层，使交界处的台阶呈现为斜坡；去除剩余的掩膜层；形成第一栅极以及第二栅极。本申请可以减少形成第一栅极和第二栅极时在台阶处形成残留，以提升器件性能。
天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本750000万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目17次，专利信息61条，此外企业还拥有行政许可40个。
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来源：市场资讯
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