南亚科技申请半导体装置及其制造方法专利，半导体装置的稳定性和效率可以被提升
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2026-03-30 14:31:16
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121751629A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，一种半导体装置的制造方法，包括提供初始结构，其包括位元线结构、座落垫层，与位元线结构相邻、及隔离层，与座落垫层相邻、在初始结构上沉积第一介电层、修改第一介电层的蚀刻特性、对第一介电层进行蚀刻工艺，以形成第一开口、及在第一开口形成电容结构。基于此配置，半导体装置的稳定性和效率可以被提升。
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来源：市场资讯
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