格力申请碳化硅半导体器件及其制备方法专利，有利于降低器件的导通电阻
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2026-03-31 13:13:51
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国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“碳化硅半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121751706A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种碳化硅半导体器件及其制备方法，该碳化硅半导体器件包括：基底，基底的一侧表面上具有第一沟槽；第一源区，位于第一沟槽底部的基底中；第二源区，位于第一沟槽两侧的基底中；沟槽栅结构，位于第一沟槽中，且与第一源区接触；平面栅结构，位于第一沟槽两侧的基底上，且与第二源区接触；层间介质层，位于第一沟槽中，还位于沟槽栅结构的侧面、沟槽栅结构远离基底的表面上、平面栅结构的侧面以及平面栅结构远离基底的表面上；源极，位于第一沟槽中、第二源区的部分表面上、层间介质层远离基底的表面以及侧壁上，且与第一源区接触。本申请至少有利于降低器件的导通电阻。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次，专利信息254条，此外企业还拥有行政许可108个。
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来源：市场资讯
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