新存科技申请存储器及其形成方法专利，提高了存储器的可靠性
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2026-04-01 19:51:17
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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种存储器及其形成方法”的专利，公开号CN121772225A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种存储器及其形成方法，其中存储器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成器件层，所述器件层包括导电层；在所述器件层上形成互连层，所述互连层位于所述导电层上且与所述导电层连接；在所述存储器的外围区、所述互连层上形成保护层，所述保护层覆盖所述外围区内的所述互连层；在形成所述保护层后，形成位于所述存储器的阵列区内的存储单元层。本申请通过引入保护层，显著提升了互连层在多次制程步骤后的结构完整性，增强了互连层的铜扩散阻挡能力，提高了存储器的可靠性。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息211条。
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来源：市场资讯
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