电子应用
天津航大雄英取得基于超短波定向仪测试仪供电电源专利
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，天津航大雄英航空工程有限公司取得一项名为“一种基于超短波定向仪测试仪的供电电源”的专利，授权公告号CN11...
深圳新声半导体取得声表面波SAW滤波器及其制造方法专利
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，深圳新声半导体有限公司取得一项名为“声表面波SAW滤波器及其制造方法”的专利，授权公告号CN1160322...
揽盛电气取得互感器结构和智能电气开关专利，极大地便利了维修人员的工作
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市揽盛电气技术有限公司取得一项名为“互感器结构和智能电气开关”的专利，授权公告号CN222952889...
晶合集成取得一种半导体结构制作方法专利
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种半导体结构的制作方法”的专利，授权公告号CN11978950...
普源示波器电源噪声测试的5个关键步骤
电源噪声测试是评估电子设备性能的重要环节，普源示波器凭借其高精度和多功能性，成为工程师常用的测试工具。本文总结了电源噪声测试的5个关键步骤，帮助用户规范操作流程...
爱普生差分晶振SG2016HHN精准医疗的时钟保障
在医疗领域，高端医疗设备的性能和可靠性直接关系到患者的诊断结果和治疗效果。从高精度的医学成像设备到实时监测生命体征的仪器，这些设备都需要高精度的时间同步和稳定的...
锦浪科技取得逆变器并机系统及其零序电流控制方法专利
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，锦浪科技股份有限公司取得一项名为“逆变器并机系统及其零序电流控制方法”的专利，授权公告号CN1152764...
铁城信息取得过大电流的车载DC-DC转换器用铜排及车载DC-DC转换器专利
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，铁城信息科技有限公司取得一项名为“过大电流的车载DC-DC转换器用铜排及车载DC-DC转换器”的专利，授权...
苏州汇川联合动力取得一种驱动电路、功率器件及驱动装置专利，降低小电流驱动模式功率损耗
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，苏州汇川联合动力系统股份有限公司取得一项名为“一种驱动电路、功率器件及驱动装置”的专利，授权公告号CN22...
保时捷取得用于测量直接冷却导体中电流流动的装置和方法专利
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，保时捷股份公司取得一项名为“用于测量直接冷却导体中的电流流动的装置和方法”的专利，授权公告号CN11590...
北京士模微电子申请自校准运算放大器失调电压及温漂芯片专利，方便快速实现对相关校准
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，北京士模微电子有限责任公司申请一项名为“一种自校准运算放大器失调电压及失调电压温漂的芯片”的专利，公开号C...
杭州谱析光晶半导体取得低阈值电压VDMOSFET器件及其制备方法专利
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司取得一项名为“一种低阈值电压的VDMOSFET器件及其制备方法”的专利，授权...
星云电子取得基于数字正交锁相技术的锂电池电压及内阻检测电路专利
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，福建星云电子股份有限公司取得一项名为“一种基于数字正交锁相技术的锂电池电压及内阻检测电路”的专利，授权公告...
江苏隆创光电申请有机电致发光化合物相关专利 显著降低驱动电压
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，江苏隆创光电材料有限公司申请一项名为“一种有机电致发光化合物及其电致发光材料和电致发光器件”的专利，公开号...
深圳供电局取得直流电压平衡控制相关专利
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，深圳供电局有限公司取得一项名为“直流电压平衡控制的方法、装置和换流器”的专利，授权公告号CN1141231...
德山新勒克斯取得光敏树脂组合物和显示设备专利
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，德山新勒克斯有限公司取得一项名为“光敏树脂组合物和显示设备”的专利，授权公告号CN112859521B，申...
初源新材料申请包含蒽基查尔酮光敏剂的感光树脂组合物及应用专利，公开一种包含蒽基查尔酮光敏剂的感光树脂组合物及应用
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，湖南初源新材料股份有限公司申请一项名为“包含蒽基查尔酮光敏剂的感光树脂组合物及应用”的专利，公开号CN12...
上海微釜半导体取得多晶碳化硅生长装置及生长方法专利
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，上海微釜半导体设备有限公司取得一项名为“多晶碳化硅生长装置及生长方法”的专利，授权公告号CN1193521...
稳懋半导体发布基于SiC衬底的0.12μm GaN HEMT
氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）技术正迎来重大突破。近日，纯化合物半导体代工厂#稳懋半导体（WIN Semiconductors）推出基于SiC衬底的0.1...
梅特勒-托利多申请自动编址方法、系统及计算机可读介质专利，提高传感器的编址效率
金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，梅特勒-托利多(常州)精密仪器有限公司、梅特勒-托利多(常州)测量技术有限公司、梅特勒托利多科技（中国）有...