长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法专利，提高半导体器件的性能
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2026-04-13 15:52:42
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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN121843204A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：有源区和终端区；终端区围绕有源区设置；终端区包括半导体本体，设置为第一导电类型，包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面设置有多个连通的沟槽；在第一表面指向第二表面的方向上，多个沟槽的宽度依次减小；还包括多个场限环，设置为第二导电类型且位于多个沟槽的槽角；还包括第一区域和第二区域，第一区域设置为第二导电类型且位于第一表面；第一区域与有源区连接；第二区域设置为第二导电类型且位于第一区域远离第一表面的一侧。本申请实施例的技术方案，可以减小终端区的总宽度，提升有源区的面积占比，提高半导体器件的性能。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目38次，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可62个。
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来源：市场资讯
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