武汉新芯申请垂直电荷转移成像传感器及其制作方法专利，能够降低垂直电荷转移成像传感器的制作难度_资源案例

武汉新芯申请垂直电荷转移成像传感器及其制作方法专利，能够降低垂直电荷转移成像传感器的制作难度

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2026-05-27 20:51:51

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国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“垂直电荷转移成像传感器及其制作方法”的专利，公开号CN122094206A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明涉及一种垂直电荷转移成像传感器及其制作方法。所述垂直电荷转移成像传感器中，衬底包括被贯穿其中的深沟槽隔离限定的多个像素衬底单元，浅沟槽隔离使每个像素衬底单元形成感光区和电荷读取区，浮栅型晶体管对应于所述电荷读取区形成，且其中浮栅、栅间介质层及控制栅的叠层从相应像素衬底单元的电荷读取区横跨至感光区，背面电连接层从衬底背面覆盖连接各像素衬底单元，所述背面电连接层包括透光导电的金属化合物，便于向各像素衬底单元构成的电容极板施加电压，能够降低垂直电荷转移成像传感器的制作难度，优化垂直电荷转移成像传感器的性能。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目227次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息1859条，此外企业还拥有行政许可109个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示成像投资降低单元传感器电荷武汉专利感光区衬底像素

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