科磊申请背照式传感器及制造其的方法专利，沟槽可形成于图像传感器中使得硼层安置于沟槽中
创始人
2026-05-27 20:53:09
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国家知识产权局信息显示，科磊股份有限公司申请一项名为“背照式传感器及制造其的方法”的专利，公开号CN122095764A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，一种图像传感器包含：p型硅层；硅层，其安置于所述p型硅层上；p型SiGe层，其安置于所述p型硅层上；硼层，其安置于所述p型SiGe层上；及抗反射涂层，其安置于所述硼层上。沟槽可形成于所述图像传感器中，使得所述硼层安置于所述沟槽中。
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来源：市场资讯
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