陛通半导体申请横流式原子层沉积设备专利，有助于提高薄膜沉积均匀性_资源案例

陛通半导体申请横流式原子层沉积设备专利，有助于提高薄膜沉积均匀性

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2025-05-28 19:34:25

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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司申请一项名为“横流式原子层沉积设备”的专利，公开号CN120041808A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种横流式原子层沉积设备。设备包括外腔、内反应腔、横流进气装置、底部加热器及支撑夹具；横流进气装置位于内反应腔的一侧，且与内反应腔连通；内反应腔的底面部分向上凸起而形成凹槽，底部加热器至少部分位于凹槽内，且与内反应腔的底面贴合；支撑夹具包括两个夹持块，夹持块顶面的外侧的边缘处设置有向上延伸的台阶，夹持块的底部设置有水平延伸的支撑面，两个夹持块设置于底部加热器的相对两端，底部加热器的底部固定在两个夹持块底部的支撑面上；夹持块的台阶面与内反应腔的底面通过螺丝固定，夹持块顶面和内反应腔的底面之间具有间隙，该间隙通过夹持块顶面上的第一通孔与真空泵连通。

天眼查资料显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20500万人民币。通过天眼查大数据分析，陛通半导体设备（苏州）有限公司参与招投标项目3次，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可8个。

来源：金融界

显示薄膜设备原子导体反应专利加热器底部苏州底面原子层半导体陛通

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