陛通半导体申请横流式原子层沉积设备专利，有助于提高薄膜沉积均匀性
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2025-05-28 19:34:25
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司申请一项名为“横流式原子层沉积设备”的专利，公开号CN120041808A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种横流式原子层沉积设备。设备包括外腔、内反应腔、横流进气装置、底部加热器及支撑夹具；横流进气装置位于内反应腔的一侧，且与内反应腔连通；内反应腔的底面部分向上凸起而形成凹槽，底部加热器至少部分位于凹槽内，且与内反应腔的底面贴合；支撑夹具包括两个夹持块，夹持块顶面的外侧的边缘处设置有向上延伸的台阶，夹持块的底部设置有水平延伸的支撑面，两个夹持块设置于底部加热器的相对两端，底部加热器的底部固定在两个夹持块底部的支撑面上；夹持块的台阶面与内反应腔的底面通过螺丝固定，夹持块顶面和内反应腔的底面之间具有间隙，该间隙通过夹持块顶面上的第一通孔与真空泵连通。
天眼查资料显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20500万人民币。通过天眼查大数据分析，陛通半导体设备（苏州）有限公司参与招投标项目3次，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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