浙江创芯申请半导体结构的形成方法专利,利于减小晶圆的翘曲度
创始人
2025-05-28 19:34:20
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金融界2025年5月28日消息,国家知识产权局信息显示,浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利,公开号CN120048796A,申请日期为2025年03月。

专利摘要显示,一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底;所述衬底上形成介质层,所述介质层内具有接触孔,所述接触孔底部暴露出所述衬底;在所述接触孔侧壁和底部、以及所述介质层上形成导电材料层,所述导电材料层填满所述接触孔,所述导电材料层内具有第一应力;在所述导电材料层表面形成牺牲材料层,所述牺牲材料层内具有第二应力,所述第一应力的方向和所述第二应力的方向相反;平坦化所述牺牲材料层和所述导电材料层,直到暴露出所述介质层表面,以在所述接触孔内形成导电插塞,由于第二应力和第一应力的平衡作用,利于减小晶圆的翘曲度。

天眼查资料显示,浙江创芯集成电路有限公司,成立于2020年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目248次,财产线索方面有商标信息14条,专利信息310条,此外企业还拥有行政许可6个。

来源:金融界

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