前言

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强以及高电子饱和漂移速率等诸多优异特性。在高功率、高压、高频率以及高工作温度等应用场景中，碳化硅器件相较于传统硅基器件，能够显著提升能源转换效率，降低能量损耗，实现更紧凑的系统设计，在新能源汽车、通信、工业、轨交、电网、数据中心等高能耗领域，换用碳化硅器件，对于推动能源转型、提升电力电子系统性能以及在实现节能减排层面具有不可替代的战略价值。

最近，充电头网了解到，重庆拥有一家碳化硅功率器件企业——平创半导体。公司于2019年11月13日成立，位于重庆璧山国家级高新技术开发区。平创半导体专注于功率半导体领域，业务涵盖半导体材料、功率芯片、功率器件、驱动IC到应用解决方案，致力于为客户提供定制化器件及解决方案。

平创半导体的发展定位是成为全球领先的功率半导体革新者与应用解决方案提供商，凭借先进的技术优势和专业团队，在功率器件领域快速崛起，助力重庆打造功率半导体产业高地，其自身实力过硬，具备诸多核心竞争力。

平创半导体碳化硅器件

SiC MOSFET

平创半导体的碳化硅MOSFET产品涵盖650V-1700V电压范围，适用于多种应用场景。其封装形式多样，包括TO、TOLA、TOLT、DSCTOLL等，具备高开关频率、高耐压、低导通电阻、高工作温度与耐辐射等优势。

SiC MOSFET模块

平创半导体还供应650V-1700V系列的工业级及车规级SiC MOSFET模块，采用PC62D封装，运用低杂感封装结构设计和 AMB 陶瓷基板。客户可选择纳米铜烧结工艺、端子超声焊接，以及铝线键合/铜线键合/Clip Bonding工艺等，其提供的SiC功率模块产品兼具低成本与高可靠性。

SiC SBD

此外，平创半导体的碳化硅肖特基势垒二极管产品同样覆盖650V-1700V应用场景，有多种TO 封装可选。该系列器件无反向恢复电荷且寄生电容极低，实现了低正向电压、低反向漏电流以及极低的开关损耗，可在更高温度下比硅二极管更可靠地运行，凭借低损耗优势，是车载充电器、功率因数校正整流器以及其他对高压、高频有苛刻要求应用的理想之选。