长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，提升半导体结构的可靠性
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2025-05-30 13:34:42
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120076304A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底，衬底中具有沿第一方向间隔排布的多个有源区；衬底中还具有沿第一方向间隔排布的多个接触孔，接触孔露出相邻的有源区；填充于接触孔中的接触结构，接触结构包括：第一接触结构，位于有源区上方；第一侧墙结构，覆盖至少部分第一接触结构侧面；第二接触结构，覆盖至少部分第一侧墙结构侧面，且第二接触结构位于两个相邻的有源区之间，其中，第一接触结构与相邻的有源区中的一者电接触，第二接触结构与相邻的有源区中的另一者电接触。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息374条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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