华朔半导体申请基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评估方法专利，提升了系统在不同负载、不同工况下的动态适配能力与能效管控能力_资源案例

华朔半导体申请基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评估方法专利，提升了系统在不同负载、不同工况下的动态适配能力与能效管控能力

创始人

2025-05-31 10:07:45

0次

金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市华朔半导体有限公司申请一项名为“基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评估方法”的专利，公开号CN120067770A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评估方法，涉及电荷分析技术领域，通过采集场效应管栅极侧的电压曲线Vg（t）与电荷累积曲线Qg（t），构建原始参数数据集RPS，并在此基础上提取能够反映不同负载属性变化特征的结构化特征集FV，从而避免了输出侧波动带来的识别干扰问题，此外，通过构建电荷行为识别模型实现对负载标签LT的快速判定，并结合模型输出的最大识别置信度值CM与开关损耗估值LE，生成综合状态评估指标SSE，在策略执行前即可动态感知识别可信度与实际能耗之间的协同关系，提升了策略决策的敏感性与鲁棒性，显著提升了系统在不同负载、不同工况下的动态适配能力与能效管控能力。

天眼查资料显示，深圳市华朔半导体有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市华朔半导体有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息4条，此外企业还拥有行政许可10个。

来源：金融界

分析栅极识别半导体深圳市华朔电荷评估专利负载场效开关

上一篇：西部超导获融资买入0.63亿元，近三日累计买入2.54亿元

下一篇：应用材料公司申请包括中空外延沟道的3D存储器专利，制造3D NAND快闪存储器结构

华朔半导体申请基于栅极电荷分析的场效应管开关损耗评估方法专利，提升了系统在不同负载、不同工况下的动态适配能力与能效管控能力

相关内容

热门资讯