应用材料公司申请包括中空外延沟道的3D存储器专利，制造3D NAND快闪存储器结构
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2025-05-31 10:33:20
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“包括中空外延沟道的3D存储器”的专利，公开号CN120077753A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本公开内容示出了用于制造包括中空外延沟道的3D NAND快闪存储器结构的方法。一种用于制造3D NAND存储器结构的方法可包括在基板上形成多个交替的材料层，这些交替的材料层以竖直堆叠的方式布置，刻蚀沟道孔，该沟道孔穿过多个交替的材料层延伸到基板，并在沟道孔周围形成隧道层，以接触多个交替的材料层。该方法可能进一步包括沿着隧道层形成沟道衬层，在沟道衬层内形成芯部间隙材料，从沟道孔去除沟道衬层，并且从基板通过沟道孔在隧道层和芯部间隙材料之间外延生长中空外延硅芯部。

来源：金融界

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