苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制造方法专利，提高二维电子气浓度
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2025-06-03 16:04:37
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120091586A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、第一沟道层、刻蚀掩膜层、第一势垒层、第二沟道层以及第二势垒层；其中，刻蚀掩膜层为多个条状结构，相邻两个条状结构之间为条状凹槽，条状凹槽的延伸方向为第一方向，条状凹槽贯穿刻蚀掩膜层且部分贯穿第一沟道层，第一势垒层保形地设置于条状凹槽中和刻蚀掩膜层上，第一势垒层包括对应条状凹槽的第二凹槽。
来源：金融界
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