欧诺半导体申请芯片制造用氧化炉控制参数优化方法及相关设备专利，提高晶圆的氧化过程的良率
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2025-06-05 09:34:55
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金融界2025年6月5日消息，国家知识产权局信息显示，杭州欧诺半导体设备有限公司申请一项名为“芯片制造用氧化炉控制参数优化方法及相关设备”的专利，公开号CN120089614A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本申请公开了一种芯片制造用氧化炉控制参数优化方法及相关设备，涉及半导体生产制造技术领域，所述芯片制造用氧化炉控制参数优化方法，包括：获取晶圆氧化过程中的传感器参数；将所述传感器参数输入预设的氧化预测模型，确定晶圆氧化预测结果，其中，所述氧化预测模型是由历史传感器数据样本及晶圆氧化结果标签对预设的待训练模型进行训练得到的；根据所述晶圆氧化预测结果，动态调整氧化炉控制参数。本申请通过调整控制参数，减少由于氧化不均匀导致的缺陷，提升晶圆的合格率。氧化预测模型可以帮助避免过氧化或不足氧化等缺陷，提高晶圆的质量。通过精准预测和动态调整，有效控制晶圆的氧化过程，从而提高晶圆的氧化过程的良率。
天眼查资料显示，杭州欧诺半导体设备有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本7500万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州欧诺半导体设备有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息10条。
来源：金融界
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