华虹宏力申请半导体器件及其制备方法专利，有效提升击穿电压
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2025-06-05 10:07:12
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金融界2025年6月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120091578A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底；在第一区域的衬底表面依次形成耦合氧化层和浮栅；在第二区域的衬底表面形成光阻层；采用各向异性刻蚀窗口暴露出的衬底，形成第一深度的初始浅沟槽；采用各向同性刻蚀初始浅沟槽，形成最终浅沟槽；在最终浅沟槽中填充隔离层，形成浅沟槽隔离。采用各向异性刻蚀先形成第一深度的初始浅沟槽，再采用各向同性刻蚀初始浅沟槽，形成最终浅沟槽；使最终浅沟槽的底角处更加圆润，避免了最终浅沟槽底角处的豁口，有效提升击穿电压，且导通电阻没有明显变大。分步刻蚀形成最终浅沟槽，各向同性刻蚀初始浅沟槽，提高了整片晶圆上最终浅沟槽深度的均一性；最终浅沟槽的顶角变大，提高了耐压性能。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目880次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界
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