LX半导体申请功率半导体器件及功率转换器相关专利，可包括多种结构组件
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2025-06-07 10:07:16
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，LX半导体科技有限公司申请一项名为“功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器”的专利，公开号CN120111937A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请涉及功率半导体器件及包括该功率半导体器件的功率转换器。根据实施方式的功率半导体器件及包括其的功率转换器可以包括：基板、设置在基板上的第一导电类型的外延层、在外延层上彼此间隔开设置的多个第二导电类型的阱、设置在阱之间的栅极和设置为围绕栅极的栅极绝缘层、以及设置在栅极绝缘层的侧部上的第一导电类型的掺杂区域。掺杂区域可以包括具有第一水平宽度的第一导电类型的第一掺杂区域和具有小于第一水平宽度的第二水平宽度并具有比第一掺杂区域的深度更大深度的第一导电类型的第二掺杂区域。
来源：金融界
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