索尼半导体申请半导体器件等相关专利，能够提高图像品质
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2025-06-07 10:35:36
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体器件、半导体器件制造方法和电子设备”的专利，公开号CN120113370A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开涉及能够提高图像品质的半导体器件、半导体器件制造方法和电子设备。所述半导体器件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，其通过CoW接合而被贴合至所述第一半导体芯片；和高应力膜，其产生应力以抵消在CoW接合期间内在所述第一半导体芯片或所述第二半导体芯片中会产生的应力。所述高应力膜以在所述第一半导体芯片或所述第二半导体芯片的四个角部附近的区域中具有高密度、且在所述第一半导体芯片或所述第二半导体芯片的中央附近的区域中具有低密度的布置图案而设置着。例如，本技术适用于层叠型CMOS图像传感器。
来源：金融界
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