中微半导体申请基片刻蚀方法及等离子体装置专利，精准控制刻蚀后的导电层的形貌
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2025-06-07 17:06:02
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种基片刻蚀方法及等离子体装置”的专利，公开号CN120109017A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基片刻蚀方法及等离子体装置，其中，基片刻蚀方法包括如下步骤：提供一基片放入反应腔，所述基片从下到上包含有基底层、待刻蚀的导电层和掩膜层；向所述反应腔中通入由刻蚀气体和钝化气体组成的混合气体，点燃等离子体，刻蚀所述导电层；调控所述混合气体的流量组成比例，交替进行第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段；任意所述第一刻蚀阶段中，所述刻蚀气体与所述钝化气体的流量比，大于任意所述第二刻蚀阶段中，所述刻蚀气体与所述钝化气体的流量比。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息1520条，此外企业还拥有行政许可72个。
来源：金融界
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