国星半导体申请一种通孔型垂直结构LED芯片及其制备方法专利，能够有效提高芯片的散热能力
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2025-06-07 17:06:00
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司申请一项名为“一种通孔型垂直结构LED芯片及其制备方法”的专利，公开号CN120112020A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种通孔型垂直结构LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，包括层叠设置的N型导电板、金属键合层、绝缘组合结构层、电极连接层、金属反射层、电流扩展层和外延层，外延层的两侧分别设置有N型电极和P型电极，中央区域成型有N型孔洞；金属键合层穿过绝缘组合结构层接触N型半导体层；P型电极基于第一电极连接部连接金属反射层，电流扩展层直接接触P型半导体层；N型电极直接接触第二电极连接部，金属键合层穿过绝缘组合结构层接触第二电极连接部。本发明通过设置N型导电板、N型电极和P型电极，形成双N型导电电极结构，能够有效提高芯片的散热能力，避免芯片局部过热，从而有利于提高芯片的可靠性和稳定性。
天眼查资料显示，佛山市国星半导体技术有限公司，成立于2011年，位于佛山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目181次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息433条，此外企业还拥有行政许可22个。
来源：金融界
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