爱思开海力士申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利，半导体装置可以包括层叠的栅极线等结构
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2025-06-07 18:34:26
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120111887A，申请日期为2024年04月。

专利摘要显示，半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括：栅极结构，其包括层叠的栅极线；导电支撑件，其垂直地或基本垂直地延伸穿过栅极结构；以及接触插塞，其仅部分地在栅极结构内部垂直或基本垂直地延伸，每个接触插塞位于相邻的导电支撑件之间并且分别连接到栅极线。接触插塞当中的第一接触插塞可以电连接到栅极线当中的第一栅极线，并且第一接触插塞可以通过第一栅极线电连接到导电支撑件当中的第一导电支撑件。

来源：金融界

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