海珀电子申请高电子迁移率晶体管的半导体结构专利，可形成二维电子气体
创始人
2025-06-07 18:34:27
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管的半导体结构”的专利，公开号CN120111926A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，一种高电子迁移率晶体管的半导体结构体包含通道层、阻障层、栅极、N型材料结构以及金属电极，阻障层形成于通道层上，二维电子气体沿通道层与阻障层间的界面形成于通道层中；栅极形成于阻障层上；N型材料结构与阻障层接触；金属电极为漏极或源极，且设置于栅极的一侧。

来源：金融界

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