长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，能够增大导电层的面积
创始人
2025-06-09 11:37:02
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金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120109125A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供半导体结构及其制备方法，涉及半导体的领域。该半导体结构包括基板、导电层和连接件；导电层设置于基板上；连接件设置于导电层背离基板的一侧；连接件靠近导电层一侧的截面面积大于连接件背离导电层一侧的截面面积，其中，连接件的截面垂直于基板的厚度方向。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息379条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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