上海积塔半导体取得用于沉积工艺的腔体结构专利，在沉积工艺中对晶圆起缓冲作用
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2025-06-09 11:37:17
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金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司取得一项名为“用于沉积工艺的腔体结构”的专利，授权公告号CN222948445U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种用于沉积工艺的腔体结构，通过在所述腔体结构中设置有用于承载晶圆的基座和用于固定晶圆的晶圆固定环，在所述基座面向所述晶圆的表面的至少部分区域覆盖第一磁性材料层，在所述晶圆固定环的内壁上具有多个接触点，所述接触点用于压接所述晶圆的边缘以将所述晶圆固定于所述基座，所述接触点面向所述晶圆的表面覆盖第二磁性材料层，所述第一磁性材料层与所述第二磁性材料层所形成的磁极相同，利用磁性同性相斥原理，使得所述晶圆固定环与所述基座之间存在一定的排斥力，进而在沉积工艺中对晶圆起缓冲作用，避免对晶圆边缘的产生大的冲击力，减少晶圆边缘剥落现象的发生。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1829次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1144条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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