青山工业申请设有沟槽结构的碳化硅肖特基二极管及其制备方法专利，有效降低空穴型半导体区域的局部升温
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2025-06-10 13:05:33
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，重庆青山工业有限责任公司申请一项名为“一种设有沟槽结构的碳化硅肖特基二极管及其制备方法”的专利，公开号CN120129255A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种设有沟槽结构的碳化硅肖特基二极管及其制备方法，通过在碳化硅SBD的空穴型半导体区域引入沟槽结构(例如方形、阶梯形沟槽等)，不但能够在不改变空穴型半导体区域宽度以及空穴型半导体区域间距的前提下，增大空穴型半导体区域与阳极金属层欧姆接触的接触面积，从而降低空穴型半导体区域欧姆接触的接触电阻，有效降低空穴型半导体区域的局部升温，并提高碳化硅SBD的导通能力；还加深了碳化硅肖特基二极管的p‑n结(p结)的结深，从而提高了碳化硅肖特基二极管的耐压能力，以及碳化硅SBD的开关速度。
天眼查资料显示，重庆青山工业有限责任公司，成立于1993年，位于重庆市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本113670万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆青山工业有限责任公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目2291次，财产线索方面有商标信息110条，专利信息1215条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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