南亚科技申请半导体元件及其制备方法专利，提供一种半导体元件及其制备方法
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2025-06-10 22:35:02
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN120129233A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；以及一第一字元线结构，其包括：位于该基板中且包括一U‑形剖面轮廓的一第一字元线介电层、位于该第一字元线介电层上且被该第一字元线介电层横向包围的一第一底部导电层、位于该第一底部导电层上且被该第一字元线介电层横向包围的一第一顶部导电层、以及一第一覆盖层。该第一覆盖层包括穿过该第一顶部导电层并延伸至该第一底部导电层的一底部分、以及位于该底部分上且被该第一字元线介电层横向包围的一顶部分。

来源：金融界

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