苏州晶湛半导体申请半导体电学特性测试相关专利，推断出掺杂效率的分布
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2025-06-13 13:15:03
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“半导体电学特性的测试方法和半导体电学特性的测试装置”的专利，公开号CN120142880A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体电学特性的测试方法和测试装置。该方法包括：获取包括至少一种掺杂元素的半导体微霍尔测试结构；测定该测试结构的电学参数；用二次离子质谱法对该测试结构去除特定厚度的薄层，对被去除的材料进行原子组成分析；再次测定该测试结构的电学参数；重复执行前述两个步骤，直至获得该测试结构中活性掺杂元素以及初始掺杂元素的掺杂浓度的分布信息，并根据掺杂浓度的分布信息计算得出该测试结构的掺杂效率的分布信息。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息296条，此外企业还拥有行政许可24个。
来源：金融界
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