安徽格恩半导体申请氮化镓基第三代半导体蓝光激光器专利降低激光元件的激发阈值_资源案例

安徽格恩半导体申请氮化镓基第三代半导体蓝光激光器专利降低激光元件的激发阈值

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2025-06-13 13:15:06

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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基第三代半导体蓝光激光器”的专利，公开号CN120149949A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓基第三代半导体蓝光激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述下波导层与下限制层之间具有多重态激子诱导层，所述多重态激子诱导层包括第一多重态激子诱导层、第二多重态激子诱导层和第三多重态激子诱导层。本发明使多重态激子诱导层抑制三重态激子的湮灭，减少三重态激子耗散，增强三重态能量传递，提升三重态激子的产生效率和长寿命三重态的数量，诱导三重态激子对激光元件有源层的辐射激射以及单重态‑三重态混合自限域激子发光并降低缺陷密度，降低激光元件的激发阈值，提升量子阱内量子效率和老化寿命。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息488条，此外企业还拥有行政许可12个。

来源：金融界

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