长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，有利于提高半导体结构的电学性能
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2025-06-14 12:38:16
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120152273A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：第一掺杂结构，具有沿第一方向上依次排布的第一部分、第二部分和第三部分；间隔设置的第二掺杂结构和第三掺杂结构，第二掺杂结构与第一部分接触连接，第三掺杂结构与第三部分接触连接；其中，第一掺杂结构中掺杂有N型掺杂离子和P型掺杂离子中的一者，第二掺杂结构和第三掺杂结构中掺杂有N型掺杂离子和P型掺杂离子中的另一者，且沿第二方向相邻的两个第一掺杂结构与同一第三掺杂结构接触连接；栅极结构，具有沿第二方向上相对的第一面和第二面，至少第一面与第二部分接触连接，第二方向和第一方向相交。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息393条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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