粤芯半导体申请测试晶圆制备等相关专利，可在测试晶圆上生长厚度均匀的氮化硅膜层
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2025-06-14 20:38:33
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“测试晶圆制备方法、测试晶圆及测试晶圆使用方法”的专利，公开号CN120149158A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请公开了一种测试晶圆制备方法、测试晶圆及测试晶圆使用方法，涉及半导体制造技术领域。该测试晶圆制备方法包括：基于测试晶圆待生长的氮化硅膜层的预设生长次数以及预设总厚度，确定测试晶圆每次生长的氮化硅膜层的生长厚度；基于预设生长次数以及生长厚度，通过炉管工艺分批在测试晶圆的正面和背面生长氮化硅膜层，并在每次生长氮化硅膜层前将测试晶圆相对炉管内的支撑部旋转预设角度，以改变测试晶圆与支撑部接触时形成的支撑点。通过上述技术手段，可在测试晶圆上生长厚度均匀的氮化硅膜层，避免测试晶圆在支撑点处产生较大应力而出现翘曲形变甚至破片，有效延长了测试晶圆的使用寿命，实现对测试晶圆的有效循环使用。
天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目115次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1006条，此外企业还拥有行政许可129个。
来源：金融界
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