紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利，提高半导体元件的生产效率
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2025-06-17 09:09:20
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备半导体元件的方法和得到的半导体元件”的专利，公开号CN120164784A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及制备半导体元件的方法和得到的半导体元件，该方法包括以下步骤：S1、提供包括多个间隙的衬底，采用流动式化学气相沉积的方式在所述多个间隙内形成第一硅氧层；S2、采用流动式化学气相沉积的方式在所述第一硅氧层上形成第二硅氧层；所述第二硅氧层覆盖于所述第一硅氧层的表面；形成所述第二硅氧层的含硅物料的流量大于形成所述第一硅氧层的含硅物料的流量；形成所述第一硅氧层的时间为40s以上；所述间隙的最大宽度为60nm以下，所述间隙的深度为200‑600nm。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息50条。
来源：金融界
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