连云港新圣锦半导体取得SiC@SiO2纳米线粉体相关专利
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2025-06-17 09:09:22
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，连云港新圣锦半导体材料有限公司取得一项名为“一种SiC@SiO2纳米线粉体的制备方法及煅烧炉窑”的专利，授权公告号CN119826527B，申请日期为2025年03月。
天眼查资料显示，连云港新圣锦半导体材料有限公司，成立于2022年，位于连云港市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，连云港新圣锦半导体材料有限公司参与招投标项目3次，专利信息3条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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