硅电子取得用于半导体衬底晶片沉积外延层的方法和装置专利
创始人
2025-06-24 15:38:29
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金融界2025年6月24日消息,国家知识产权局信息显示,硅电子股份公司取得一项名为“用于在由半导体材料制成的衬底晶片上沉积外延层的方法和装置”的专利,授权公告号CN115461852B,申请日期为2021年04月。

来源:金融界

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