中微半导体申请沉积金属氮化物方法专利，提高金属氮化物沉积速率
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2025-06-24 15:38:25
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种沉积金属氮化物的方法”的专利，公开号CN120193249A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种沉积金属氮化物的方法，该方法包含：含金属前驱物给料步骤和含氮前驱物给料步骤，含硅气体在所述含金属前驱物给料步骤和/或所述含氮前驱物给料步骤中给料，交替重复所述含金属前驱物给料步骤和所述含氮前驱物给料步骤，直至金属氮化物薄膜达到目标厚度。通过引入含硅气体，本发明提供的沉积金属氮化物的方法可以提高金属氮化物沉积速率，同时降低得到的金属氮化物薄膜的电阻率。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目66次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1490条，此外企业还拥有行政许可72个。
来源：金融界
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