上海维安半导体申请半导体功率器件制备方法专利，改善器件发热均匀度
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2025-06-24 15:38:18
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海维安半导体有限公司申请一项名为“一种半导体功率器件的制备方法”的专利，公开号CN120201766A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体功率器件的制备方法，属于半导体技术领域；包括于衬底层上依次设置外延层、阻挡层，通过光刻形成沟槽，对沟槽内部通过热氧化和淀积重掺杂多晶硅层；通过湿法刻蚀沟槽的侧壁后，热氧化形成栅氧化层；通过淀积重掺杂多晶硅层于沟槽内部；对外延层依次进行离子注入；于栅极多晶硅和第一隔离层的上方形成绝缘介质层，向内刻蚀出多个接触孔，单个接触孔与对应的沟槽之间的距离呈线性增加；于接触孔的底部注入离子，填充金属填充层；于衬底层的背面设置背面漏极金属层；进行镜像和重复。
天眼查资料显示，上海维安半导体有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海维安半导体有限公司参与招投标项目6次，专利信息254条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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