长鑫科技申请半导体结构及其形成方法专利，可提高存储密度
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2025-05-16 15:33:36
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119997508A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：在衬底上形成堆叠膜层，堆叠膜层包括多个第一半导体层和保护层，多个第一半导体层沿第一方向延伸并沿第二方向间隔分布，且沿第二方向相邻的两个第一半导体层之间具有间隙，第二方向与第一方向相交；堆叠膜层具有沟槽，沟槽沿第二方向贯穿各第一半导体层；沟槽中暴露出的各第一半导体层的端面上分别形成有保护层；对第一半导体层进行蚀刻，以减薄第一半导体层的厚度；保护层的蚀刻速率小于第一半导体层的蚀刻速率。本公开的形成方法可在不增加第一半导体层的层数的情况下提高存储密度。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息227条，专利信息360条，此外企业还拥有行政许可28个。
来源：金融界
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