华虹半导体申请改善衬底背封缺陷的方法专利，避免形成弧形缺陷_资源案例

华虹半导体申请改善衬底背封缺陷的方法专利，避免形成弧形缺陷

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2025-07-12 20:09:32

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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“改善衬底背封缺陷的方法”的专利，公开号CN120299983A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本申请提供一种改善衬底背封缺陷的方法，包括：步骤一，提供衬底，在背面沉积第一低温氧化物膜层；步骤二，去除位于衬底边缘区域的第一低温氧化物膜层；步骤三，形成包覆衬底和第一低温氧化物膜层的多晶硅层；步骤四，通过边抛工艺去除位于衬底正面和边缘区域的多晶硅层；步骤五，在衬底背面沉积第二低温氧化物膜层；步骤六，去除位于衬底边缘区域的第二低温氧化物膜层，第二低温氧化物膜层包覆第一低温氧化物膜层和多晶硅层的侧部。形成的衬底背封层由依次层叠的第一低温氧化物膜层、多晶硅层和第二低温氧化物膜层构成，第二低温氧化物膜层包覆第一低温氧化物膜层和多晶硅层的侧部，后续形成外延层时不会在多晶硅层上生长硅，避免形成弧形缺陷。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2926次，专利信息1710条，此外企业还拥有行政许可117个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目373次，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可226个。

来源：金融界

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