原力芯辰取得一种ALD装置及半导体设备专利,有效提高ALD工艺时的膜厚均匀性和膜层质量
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2025-07-14 12:38:49
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金融界2025年7月14日消息,国家知识产权局信息显示,上海原力芯辰科技有限公司取得一项名为“一种ALD装置及半导体设备”的专利,授权公告号CN223087911U,申请日期为2024年08月。

专利摘要显示,本实用新型提供了一种ALD装置及半导体设备,涉及半导体技术领域。ALD装置包括托盘以及喷淋面板。托盘用于承载基底,喷淋面板与托盘相对设置,喷淋面板设置有第一进气区域、第二进气区域和隔离区域,隔离区域位于第一进气区域和第二进气区域之间,第一进气区域用于向托盘上的基底喷射金属源,第二进气区域用于向托盘上的基底喷射氧源,隔离区域用于向托盘上的基底喷射惰性气源,可以杜绝金属源和氧源在有效沉积区域的直接接触而产生的CVD反应,从而有效提高ALD工艺时的膜厚均匀性和膜层质量。

天眼查资料显示,上海原力芯辰科技有限公司,成立于2024年,位于上海市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海原力芯辰科技有限公司参与招投标项目2次,专利信息22条,此外企业还拥有行政许可1个。

来源:金融界

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