江苏应能微电子申请改善开关损耗的沟槽式MOSFET器件专利,降低生产成本
创始人
2025-07-16 20:39:14
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金融界2025年7月16日消息,国家知识产权局信息显示,江苏应能微电子股份有限公司申请一项名为“一种改善开关损耗的沟槽式MOSFET器件”的专利,公开号CN120321986A,申请日期为2025年06月。

专利摘要显示,本发明属于半导体技术领域,公开了一种改善开关损耗的沟槽式MOSFET器件,包括:外延层,形成于衬底上方;互相间隔设置的沟槽栅结构,形成于外延层区域上方;第一阱区,形成于相互间隔设置的沟槽栅结构之间;第二阱区,形成于第一阱区上方,具有第二导电类型;第三阱区,形成于第一阱区上方,且位于第二阱区两侧,分别与沟槽栅结构的垂直向壁面接触;沟槽栅结构包括栅极和包覆在栅极外壁面的栅极氧化层,栅极氧化层垂直向壁面的纵向直线段沿纵向分布有间隔设置的凹槽段,且凹槽段从栅极沿横向外凹。

天眼查资料显示,江苏应能微电子股份有限公司,成立于2012年,位于常州市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本5400万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏应能微电子股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目15次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息107条,此外企业还拥有行政许可10个。

来源:金融界

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