成都紫光半导体申请金属层电容结构及其制作方法专利，提升金属层电容结构的电容容量及集成度_资源案例

成都紫光半导体申请金属层电容结构及其制作方法专利，提升金属层电容结构的电容容量及集成度

创始人

2025-05-17 16:35:13

0次

金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“金属层电容结构及其制作方法”的专利，公开号CN119993962A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本公开涉及一种金属层电容结构及其制作方法，金属层电容结构包括：衬底、绝缘介质以及电容层，绝缘介质沉积在衬底的上表面，绝缘介质上形成有通孔，通孔用于供带不同电荷的第一金属连接件和第二金属连接件穿过；电容层贴附于通孔的内表面，且电容层的正极板用于与第一金属连接件电连接，电容层的负极板用于与第二金属连接件电连接。通过上述技术方案，由于电容层贴附于通孔的内表面，即，电容层在通孔内弯折出的形状与通孔的内表面一致或与第一金属连接件的外表面一致，从而使得电容层能够形成了呈U字形的立体电容结构，在有限的空间内，能够使得电容层的正极板和负极板具有更大的相对面积，从而提升该金属层电容结构的电容容量及集成度。

天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息18条。

来源：金融界

显示紫光半导体电容表面通孔金属层容量结构专利连接件电容层

上一篇：圣邦微电子申请多调制模式功率变换器及其开关控制电路专利，优化系统效率

下一篇：安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利，涵盖相关技术的创新保护

成都紫光半导体申请金属层电容结构及其制作方法专利，提升金属层电容结构的电容容量及集成度

相关内容

热门资讯