长飞先进半导体申请半导体器件及其制备方法等专利，减小半导体器件的厚度
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2025-05-17 16:35:20
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆”的专利，公开号CN119997558A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆。所述半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体还包括阱区、第一区域和第二区域，所述第一区域及所述第二区域设置为第一导电类型且位于所述第一表面，所述阱区设置为第二导电类型且位于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；栅极结构，从所述第一表面延伸至所述半导体本体中的预设位置；其中，所述第一区域和所述第二区域位于所述栅极结构相对的两侧；源极，位于所述第一区域远离所述第二表面的一侧；漏极，位于所述第二区域远离所述第二表面的一侧。本发明提供的半导体器件承压不变的情况下减小半导体器件的厚度。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目22次，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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