国际商业机器公司申请具有底部pFET的堆叠FET SRAM单元专利，提供一种半导体结构
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2025-05-17 16:35:18
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有底部pFET的堆叠FET SRAM单元”的专利，公开号CN119999349A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，提供了一种半导体结构，包括：包括多个底部源极/漏极(S/D)外延区域的底部场效应晶体管(FET)，包括多个顶部S/D外延区域的顶部FET，直接设置在底部FET和顶部FET之间的接合电介质层，以及有利地从底部FET的多个底部S/D外延区域中的底部S/D外延区域延伸穿过接合电介质层并进入顶部FET的节点接触。底部FET包括反相栅极。顶部FET电连接到后端(BEOL)组件，并且底部FET电连接到背面电源输送网络(BSPDN)。
来源：金融界
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