IBM申请用于磁阻随机存取存储器器件的反应性串行电阻降低专利，导电氧化物层具有相对较低的电阻
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2025-07-28 20:10:04
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“用于磁阻随机存取存储器器件的反应性串行电阻降低”的专利，公开号CN120380884A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，公开了一种磁阻器件(102)，其包括：位于半导体衬底(104)上的晶体底部电极层(126)；位于晶体底部电极层上方的晶体金属层(124)；位于晶体金属层上方的导电氧化物层(122)；以及位于导电氧化物层上方的磁性隧道结(MTJ)结构(108、116、120)。导电氧化物层(122)具有相对较低的电阻，可通过退火工艺形成，该退火工艺使沉积在非晶反应材料层(112)上的绝缘氧化物层(114)发生反应。
来源：金融界
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