索尼半导体申请半导体装置和电子设备专利，增加场效应晶体管的互导
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2025-08-19 18:15:12
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金融界2025年8月19日消息，国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置和电子设备”的专利，公开号CN120513702A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明增加了场效应晶体管的互导。半导体装置包括：半导体部分，其具有上表面和侧面；场效应晶体管，其具有设置在半导体部分的上表面和侧面上栅电极；以及应力部分，其设置在半导体部分的上表面和栅电极之间，并且应力部分在半导体部分中产生在流过半导体部分的电流增加的方向上的应力。
来源：金融界
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