安靠科技申请半导体装置及制造方法专利，可制造特定结构的半导体装置
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2025-08-23 10:09:39
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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120527301A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，半导体装置可包含第一介电层，所述第一介电层包括限定通孔的内壁。晶种层可安置在所述第一介电层上方和所述通孔中。第一导体可安置在所述晶种层上方和所述通孔中，且所述第一导体可具有圆柱形几何形状。第二导体可安置在所述第一导体和所述第一介电层上方。所述第二导体可延伸到在所述第一介电层的所述内壁与所述第一导体的横向侧之间限定的间隙中。本文中还公开其它实例和相关方法。
来源：金融界
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