甬矽半导体申请5D衬底制作方法和封装结构专利，设置绝缘层和覆膜层对导电柱起到更好的保护作用
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2025-08-24 01:02:35
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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“5D衬底制作方法和封装结构”的专利，公开号CN120527238A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本申请提供的一种2.5D衬底制作方法和封装结构，涉及半导体封装技术领域。该2.5D衬底制作方法包括：提供中介层，其中，中介层内具有导电柱。去除部分中介层以使导电柱部分凸出于中介层的表面。在中介层露出导电柱的一侧形成绝缘层。在绝缘层远离中介层的一侧开设第一凹槽。在绝缘层上形成覆膜层；覆膜层盖住第一凹槽的槽口，以形成第一空腔。在覆膜层上形成设有第一布线层的第一介质层；第一布线层和导电柱电连接。该衬底制作中，通过设置绝缘层和覆膜层对导电柱起到更好的保护作用，防止导电柱在封装过程中的隐裂和损坏。并且形成第一空腔，有利于缓减翘曲，提升散热，起到缓冲作用。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司参与招投标项目34次，专利信息191条，此外企业还拥有行政许可14个。
来源：金融界
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