华虹半导体申请改善屏蔽栅沟槽器件源漏间电容方法专利，降低输出电容
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2025-05-20 09:36:31
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“改善屏蔽栅沟槽器件源漏间电容的方法”的专利，公开号CN120018566A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善屏蔽栅沟槽器件源漏间电容的方法，提供衬底，在衬底上形成深沟槽，在衬底和深沟槽上形成第一栅介质层，之后形成覆盖衬底且填充剩余深沟槽的为第一导电类型的源极多晶硅层，刻蚀源极多晶硅层至所需高度；利用第一导电类型的离子注入对源极多晶硅层进行掺杂，以提高源极多晶硅层的掺杂浓度；刻蚀第一栅介质层形成位于源极多晶硅层和衬底之间的浅沟槽，在浅沟槽中淀积第二栅介质层，源极多晶硅层上的第二栅介质层相对于其他处的厚度较厚；形成填充浅沟槽的栅极多晶硅层。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2912次，专利信息1654条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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