湖南大学和北京数字光芯申请基于沟道接触两用氧化铟锡的MOS结构驱动的micro-LED器件及制备方法专利，大大简化制备流程降低生产成本
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2025-05-20 16:07:39
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，湖南大学;北京数字光芯集成电路设计有限公司申请一项名为“一种基于沟道、接触两用氧化铟锡的MOS结构驱动的micro-LED器件及其制备方法”的专利，公开号CN120018668A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于沟道、接触两用氧化铟锡的MOS结构驱动的micro‑LED及其制备方法，本发明的制备方法，一方面，通过光刻定义互连和源漏电极区后沉积简并态厚层氧化铟锡，将MOS结构源级与micro‑LED单元高台面的P电极互联实现串联。最终，通过栅极来控制发光单元的开关，实现原位驱动，由于工艺上的兼容性因此省去了传统的键合过程，大大简化制备流程降低生产成本，另一方面，采用控制厚度的方法制备出薄层的非简并态氧化铟锡半导体沟道和厚层的简并态氧化铟锡接触电极，实现低接触电阻的高电流MOS驱动单元。
来源：金融界
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